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工作原理
TM4000II/TM4000PlusII采用钨灯丝电子枪发射电子束，通过电磁透镜系统聚焦后扫描样品表面。设备通过检测电子束与样品相互作用产生的二次电子（SE）和背散射电子（BSE）信号生成图像。TM4000PlusII新增高灵敏度低真空二次电子探测器（UVD），可在低真空环境下通过检测电子与气体分子碰撞产生的光信号，实现绝缘体、含水或含油样品的无镀层成像。设备支持5kV、10kV、15kV三档加速电压，每档电流四档可调，配合4分割背散射探测器，可同步采集四个方向的图像信息，支持多模式复合成像。
应用范围
覆盖半导体封装缺陷检测、锂电池电极结构分析、金属材料晶粒观察及生物样本超微形态表征等领域。在电子制造中，可无损分析PCB焊点虚焊、芯片键合层空洞；新能源领域支持电池隔膜孔隙率测量及极片剥离强度评估；生物医学方面，可观察细胞培养支架的三维结构及组织切片微观形貌。设备兼容导电性差的样品，无需喷金处理即可直接成像。
产品技术参数
放大倍率：10×-100,000×（照片倍率）
加速电压：5kV/10kV/15kV（四档电流可调）
样品仓容量：直径80mm×厚度50mm
探测器配置：4分割背散射探测器、低真空二次电子探测器（TM4000PlusII）
真空模式：标准模式、荷电减轻模式
图像输出：支持Microsoft Word/Excel/PowerPoint格式报告生成
产品特点
无损检测：低真空功能消除样品荷电效应，绝缘体、含水样品无需预处理。
智能操作：Camera Navi系统实现样品视野自动定位，MAP分布图功能支持全程导航观察。
高效分析：3分钟内完成图像采集与报告生成，Report Creator软件预置模板，支持一键导出多格式报告。
模块化扩展：可选配EDS能谱仪实现元素分析，Multi Zigzag功能支持广域SEM观察，搭配自动马达台可实现低倍率、高精度大范围分析。
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辽宁 - 沈阳
2025年09月12日 ~ 14日
